| 化学抛光对Au/Hg3In2Te6接触特性的影响 |
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| 引用本文： | 王一义,傅莉,任洁. 化学抛光对Au/Hg3In2Te6接触特性的影响[J]. 热加工工艺, 2012, 41(8): 135-137 |
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| 作者姓名： | 王一义 傅莉 任洁 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，航空科学基金资助项目，西北工业大学凝固技术国家重点实验室基础研究基金资助项目，高等学校博士学科点专项科研基金(博导类)资助课题 |
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| 摘 要： | 采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6(简称MIT)表面制备了Au和In金属电极,探讨了MIT晶片的化学抛光工艺对其表面成分偏析和Au/MIT接触特性的影响规律与机制,优化了MIT晶体的化学抛光工艺参数。结果表明,MIT晶片采用5%Br2-C3H7ON溶液化学抛光2 min后,MIT晶片表面元素组分更接近标准计量比,所制备出的Au/MIT接触的反向漏电流最小。
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| 关 键 词： | Hg3In2Te6 Au/MIT接触 化学抛光 反向漏电流 I-V特性 |
Effect of Chemical Polishing on Contact Characteristics of Au/Hg3In2Te6 |
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| WANG Yiyi , FU Li , REN Jie. Effect of Chemical Polishing on Contact Characteristics of Au/Hg3In2Te6[J]. Hot Working Technology, 2012, 41(8): 135-137 |
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| Authors: | WANG Yiyi FU Li REN Jie |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Solidification Processing,Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072,China) |
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