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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
分子束外延InAs/GaSbⅡ类超晶格的缺陷研究
作者姓名:
邢伟荣
刘铭
尚林涛
周朋
周立庆
作者单位:
华北光电技术研究所,北京 100015
摘 要:
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格被认为制备第三代高性能红外探测器的优选材料。本文对GaSb衬底上分子束外延生长的Ⅱ类超晶格材料缺陷进行了研究,首先对材料表面缺陷分类,然后分析了各类缺陷的起源,并研究了生长温度、GaSb生长速率、As/In束流比等对超晶格表面缺陷的影响,对制备高性能大面阵探测器的Ⅱ类超晶格材料生长具有参考价值。
关 键 词:
Ⅱ类超晶格;分子束外延;缺陷;起源
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