| TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备 |
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| 引用本文： | 钱祥忠,杨开愚,陈旋.TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备[J].半导体光电,2002,23(2):125-127. |
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| 作者姓名： | 钱祥忠 杨开愚 陈旋 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,光电子技术系,四川,成都,610054;淮南工业学院,数理系,安徽,淮南,232001;2. 电子科技大学,光电子技术系,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 安徽省自然科学基金;99JL0191; |
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| 摘 要： | 用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.
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| 关 键 词： | PECVD 非晶氮化硅薄膜 绝缘层 |
| 文章编号： | 1001-5868(2002)02-0125-03 |
| 修稿时间： | 2001年6月15日 |
Fabrication of a-SiNx∶H Insulator in TFT-AMLCD |
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| QIAN Xiang-zhong ,YANG Kai-yu ,CHENG Xuan.Fabrication of a-SiNx∶H Insulator in TFT-AMLCD[J].Semiconductor Optoelectronics,2002,23(2):125-127. |
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| Authors: | QIAN Xiang-zhong YANG Kai-yu CHENG Xuan |
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| Affiliation: | QIAN Xiang-zhong 1,2,YANG Kai-yu 1,CHENG Xuan 1 |
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