Pd在SnO2薄膜上的淀积、扩散及对气敏性能的影响 |
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引用本文: | 张天舒,曾宇平,沈瑜生.Pd在SnO2薄膜上的淀积、扩散及对气敏性能的影响[J].功能材料,1996,27(4):347-349. |
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作者姓名: | 张天舒 曾宇平 沈瑜生 |
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作者单位: | 中国科学技术大学材料科学与工程系 |
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摘 要: | 在Ar气氛中于SnO2薄膜表面溅射一层很薄的金属钯。用SEM、AES及XPS等分析表明,Pd在SnO2表面以三维束状小岛方式生长,热处理后Pd迅速扩散到SnO2膜内,形成掺杂型的气敏元件。在元件的表面存在大量的化学吸附氧,低温下(~160℃)对极为稳定的CH4有很高的灵敏度,认为可能与低温下吸附氧主要为α氧(O-2)有关。
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关 键 词: | SnO2薄膜 淀积 气敏传感器 Pd掺杂 |
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