功率场效应管的雪崩测试浅谈

功率场效应管(MOSFET)由于于输入阻抗高,属电压型控制器件,可以直接与数字逻辑电路连接,且驱动电路简单,功耗小,开关速度快,而且开关功耗小,热稳定性好,不存在二次击穿,所以在开关电路中通常选用功率场效应管场,但由于电路中的感性负载的存在,MOSFET在关断瞬间,电路会产生很高的感生电动势,MOSFET会承受到很大电压的冲击,很容易把MOSFET冲击损伤,严重的MOSFET会烧毁短路,为了剔除这些扛冲击能力比较差的MOSFET管,功率MOSFET管就非常有必要进行雪崩测试,模拟这种开关状态下感生电动势的冲击,但实际生产过程中由于雪崩测试的复杂性,经常会出现误判情况,通过介绍几种常见雪崩误判现象以及原因分析,对应解决方法,从而达到既保证产品质量,又提高产品合格率。