| 纳秒脉冲下真空绝缘沿面闪络特性实验研究 |
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| 引用本文： | 高巍,孙广生,严萍,谷琛.纳秒脉冲下真空绝缘沿面闪络特性实验研究[J].高电压技术,2006,32(4):58-61. |
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| 作者姓名： | 高巍 孙广生 严萍 谷琛 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院电工研究所,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院电工研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 高比容电子铝箔的研究开发与应用项目;中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 通过实验研究了纳秒脉冲(10/30 ns)下,真空绝缘沿面闪络电压随圆台形绝缘体锥角、圆柱形绝缘体截面直径、实验气压以及电极材料等物理因素的变化趋势,结果表明圆台形绝缘体锥角变化对闪络电压影响非常明显;厚度相同的圆柱形绝缘体闪络电压随截面直径的增大而降低,且直径越小,变化幅度越大;当气压处于高真空范围,即10-5~10-1Pa时,气压变化对闪络电压不构成影响;高真空条件下不同电极材料对闪络电压无影响。并在系统分析实验结果的基础上,提出了真空绝缘结构设计原则。
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| 关 键 词： | 纳秒脉冲 闪络 特性 高真空 锥角 |
| 文章编号： | 1003-6520(2006)04-0058-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-06 |
| 修稿时间： | 2005年3月6日 |
Investigation of Flashover Characteristics Under Nanosecond Pulse in Vacuum |
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| GAO Wei,SUN Guangsheng,YAN Ping,GU Chen.Investigation of Flashover Characteristics Under Nanosecond Pulse in Vacuum[J].High Voltage Engineering,2006,32(4):58-61. |
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| Authors: | GAO Wei SUN Guangsheng YAN Ping GU Chen |
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| Affiliation: | 1. Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China; 2. Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanosecond pulse flashover characleristics high vacuum cone angle |
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