| 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 刘伟,高斐,方晓玲,王建军,张佳雯,晏春愉. 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜[J]. 现代显示, 2008, 19(2): 47-51 |
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| 作者姓名： | 刘伟 高斐 方晓玲 王建军 张佳雯 晏春愉 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安,710062 陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安,710062 陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安,710062 陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安,710062 陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安,710062 陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安,710062 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国科研启动基金:新型光伏效应的探索性研究(669022) |
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| 摘 要： | 多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用.本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程,着重讨论了铝诱导晶化非晶硅的机理和在制备过程中各种参数对多晶硅薄膜质量的影响.
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| 关 键 词： | 铝诱导晶化 多晶硅薄膜 晶化机理 |
| 收稿时间： | 2007-12-08 |
Fabricating Polycrystalline Silicon Thin Films by Aluminum Induced Crystallization |
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