| 含N超薄栅氧化层的击穿特性 |
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| 引用本文： | 韩德栋,张国强,任迪远.含N超薄栅氧化层的击穿特性[J].半导体学报,2001,22(10):1274-1276. |
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| 作者姓名： | 韩德栋 张国强 任迪远 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 乌鲁木齐830011
(韩德栋，张国强)，中国科学院新疆物理研究所 乌鲁木齐830011(任迪远) |
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| 摘 要： | 研究了含 N超薄栅氧化层的击穿特性 .含 N薄栅氧化层是先进行 90 0℃干氧氧化 5 m in,再把 Si O2 栅介质放入 10 0 0℃的 N2 O中退火 2 0 min而获得的 ,栅氧化层厚度为 10 nm.实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 N可以明显地起到抑制栅介质击穿的作用 .分析研究表明 ,N具有补偿 Si O2 中 O3≡ Si·和 Si3≡ Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱的作用 ,从而可以减少初始固定正电荷和 Si/ Si O2 界面态 ,因此提高了栅氧化层的抗击穿能力
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| 关 键 词： | 含N 超薄栅氧化层 击穿特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)10-1274-03 |
| 修稿时间： | 2000年11月15日 |
Breakdown Characteristics of Nitride Ultra-Thin Gate Oxide |
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| HAN De dong,ZHANG Guo qiang and REN Di yuan.Breakdown Characteristics of Nitride Ultra-Thin Gate Oxide[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(10):1274-1276. |
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| Authors: | HAN De dong ZHANG Guo qiang and REN Di yuan |
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| Abstract: | The breakdown characteristics of N 2O nitride ultra thin gate oxide are investigated.The experimental data show that with N introduced into thermal SiO 2 oxide,the breakdown characteristics of thin gate oxide are much improved.The characteristics of ultra thin gate oxide can also be improved by N,because N can decrease the oxide charges and interface states induced during the process. |
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| Keywords: | N ultra thin gate oxide breakdown characteristics |
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