| 一种具有高阶温度补偿的低温漂高PSRR带隙基准 |
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| 引用本文： | 张杰,党莹,张鸿.一种具有高阶温度补偿的低温漂高PSRR带隙基准[J].微电子学,2023,53(5):779-785. |
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| 作者姓名： | 张杰 党莹 张鸿 |
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| 作者单位： | 西安交通大学 微电子学院, 西安 710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61974118,62004156)；中国博士后科学基金资助项目(2020M683487) |
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| 摘 要： | 设计了一种基于高阶温度补偿与内建负反馈稳压技术的带隙基准，所设计的带隙基准具有低温漂和高PSRR的优点。通过采用两对工作在亚阈值区的MOS管，根据不同工作温度分段产生指数型补偿电流，形成高阶温度补偿，降低了带隙基准的温度系数。基于带隙基准输出电压，通过内建负反馈稳压电路，提高了带隙基准的电源抑制能力。基于Dongbu 0.18μm BCD工艺，完成了低温漂高PSRR带隙基准的设计、版图绘制和后仿真验证。带隙基准的版图面积为290μm×200μm。后仿真结果表明，所设计的带隙基准在-45～125℃范围内温度系数仅为1.15×10-6/℃,电源抑制比为83.22 dB;在2.8～5.5 V电源电压变化下，基准电压的平均值为1.212 V,线性调整率为0.015%。
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| 关 键 词： | 带隙基准 高阶温度补偿 温度系数 电源抑制比 |
| 收稿时间： | 2023/1/25 0:00:00 |
A Low-Temperature-Coefficient and High-PSRR Bandgap Reference with High-Order Temperature Compensation |
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| ZHANG Jie,DANG Ying,ZHANG Hong.A Low-Temperature-Coefficient and High-PSRR Bandgap Reference with High-Order Temperature Compensation[J].Microelectronics,2023,53(5):779-785. |
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| Authors: | ZHANG Jie DANG Ying ZHANG Hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference high-order temperature compensation temperature coefficient power supply rejection ratio |
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