| 低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制 |
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| 引用本文： | 陈晓娟,张一川,袁静,高润华,殷海波,李艳奎,刘新宇,魏珂.低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制[J].微电子学,2023,53(5):904-909. |
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| 作者姓名： | 陈晓娟 张一川 袁静 高润华 殷海波 李艳奎 刘新宇 魏珂 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学, 西安 710071;中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院微电子研究所, 北京 100029;天津市滨海新区微电子研究院, 天津 300459 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62234009) |
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| 摘 要： | 提出了一种适用于低电压工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件,开展了材料外延结构的设计,在SiC衬底上生长了AlN/GaN外延材料。基于此材料开展了器件制作,优化了高温快速退火工艺,获得良好的欧姆接触电阻。对所制备的器件进行直流测试,结果显示,电流输出能力为2.4 A/mm,跨导极值为518 mS/mm,小信号ft达到85 GHz,fmax大于141 GHz。在5G毫米波段28 GHz频率点测试了大信号特性,当VDS =3 V时,输出功率密度为0.55 W/mm,功率附加效率(PAE)为40.1%；当VDS = 6 V时,输出功率密度为1.6 W/mm,PAE达到47.8%。该器件具有低压毫米波应用的潜力。
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| 关 键 词： | 氮化铝/氮化硅 外延材料 低工作电压 毫米波 MIS-HEMT 氮化铝势垒 |
Development of a Millimeter-Wave AlN/GaN MIS-HEMT Device for Low Voltage Application |
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| CHEN Xiaojuan,ZHANG Yichuan,YUAN Jing,GAO Runhu,YIN Haibo,LI Yankui,LIU Xinyu,WEI Ke.Development of a Millimeter-Wave AlN/GaN MIS-HEMT Device for Low Voltage Application[J].Microelectronics,2023,53(5):904-909. |
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| Authors: | CHEN Xiaojuan ZHANG Yichuan YUAN Jing GAO Runhu YIN Haibo LI Yankui LIU Xinyu WEI Ke |
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