| 一种基于InP DHBT的CB Stack功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 卢正威,苏永波,甄文祥,丁武昌,魏浩淼,曹书睿,丁健君,金智. 一种基于InP DHBT的CB Stack功率放大器设计[J]. 微电子学, 2023, 53(5): 807-813 |
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| 作者姓名： | 卢正威 苏永波 甄文祥 丁武昌 魏浩淼 曹书睿 丁健君 金智 |
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| 作者单位： | 中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 北京市新一代信息通信技术创新项目(Z211100004421012) |
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| 摘 要： | 设计了一种中心频率为75 GHz的单级MMIC功率放大器，基于0.8μm InP DHBT器件制造，该器件ft/fmax为171/250 GHz。电路采用两层共基堆叠(CB Stack)结构，其中下层共基偏置采用基极直接接地，输入端发射极采用-0.96 V负压供电的方式，偏置电压Vc2为4 V。为了提高输出功率，上下两层器件进行了四指并联设计。此外，采用同样器件设计了另外一款下层共射的传统Stack结构电路。通过大信号仿真对CB Stack与国际上部分先进工艺下InP基的传统Stack结构电路性能进行对比，CB Stack结构在增益和峰值PAE上都比传统Stack有更好的表现。
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| 关 键 词： | 功率放大器 磷化铟 DHBT MMIC |
| 收稿时间： | 2023-02-14 |
Design of a Power Amplifier Using CB Stack Based on InP DHBT |
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| LU Zhengwei,SU Yongbo,ZHEN Wenxiang,DING Wuchang,WEI Haomiao,CAO Shurui,DING Jianjun,JIN Zhi. Design of a Power Amplifier Using CB Stack Based on InP DHBT[J]. Microelectronics, 2023, 53(5): 807-813 |
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| Authors: | LU Zhengwei SU Yongbo ZHEN Wenxiang DING Wuchang WEI Haomiao CAO Shurui DING Jianjun JIN Zhi |
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| Affiliation: | University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PA InP DHBT MMIC |
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