| 一种基于0.6μm BCD工艺的40V高压输出自稳零运算放大器 |
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| 引用本文： | 张俊安,张传道,杨法明,李超,李丹,李铁虎.一种基于0.6μm BCD工艺的40V高压输出自稳零运算放大器[J].微电子学,2023,53(5):786-793. |
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| 作者姓名： | 张俊安 张传道 杨法明 李超 李丹 李铁虎 |
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| 作者单位： | 重庆理工大学 两江人工智能学院, 重庆 401135;重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62004020)；重庆市自然科学基金面上项目(cstc2020jcyj-msxmX0347)；重庆市教委科学技术研究项目(KJQN201901108, KJQN20210110, KJQN202101103, KJQN202101137)；重庆理工大学科研启动基金项目(2019ZD06,2019ZD113) |
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| 摘 要： | 设计实现了一种基于0.6μm BCD工艺的40 V高压输出自稳零运算放大器。该运算放大器采用了时间交织自稳零结构，实现了对输入失调电压的连续校准，同时使用40 V耐压PDMOS管和NDMOS管，实现了ClassAB结构的高压输出。运算放大器的输入级和自稳零校准电路采用0.6μm普通MOS管实现，均工作在5 V电源电压下；放大级和输出级中部分晶体管采用非对称结构的40 V DMOS管，实现了高压输出。整体电路中只有DMOS管的漏源电压承受40 V的耐压，其余MOS管的各端电压均在正常的工作范围内，没有耐压超限风险。前仿真结果表明，该运算放大器在5 V和40 V双电源电压下工作正常，输入失调电压为0.78μV,输出电压范围为3.0～37.7 V,等效直流增益为142.7 dB,单位增益带宽为1.9 MHz,共模抑制比为154.8 dB,40 V电源抑制比为152.3 dB,5 V电源抑制比为134.9 dB。
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| 关 键 词： | 运算放大器 时间交织自稳零 高压输出 低失调 BCD工艺 |
| 收稿时间： | 2022/11/16 0:00:00 |
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