| 一种面向Flash存算阵列的可调电荷泵 |
| |
| 引用本文： | 刘泊志,虞致国,顾晓峰. 一种面向Flash存算阵列的可调电荷泵[J]. 微电子学, 2023, 53(5): 861-868 |
| |
| 作者姓名： | 刘泊志 虞致国 顾晓峰 |
| |
| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122 |
| |
| 基金项目： | 江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(BE2023019-3); 长三角科技创新共同体联合攻关项目(2022CSJGG0402) |
| |
| 摘 要： | Flash存算阵列在工作模式下需要用到不同内部驱动电压，因此基于当前各类Dickson型电荷泵，设计了一种针对Flash存算阵列的可调电荷泵。采用一种新型输出级的交叉耦合设计，解决了传统电荷泵最后一级阈值电压导致的低泵送效率的问题，并通过辅助MOS管增强了传统电荷泵中体源二极管对反向漏电流的抑制能力。55 nm CMOS工艺下的仿真结果表明，与改进前的电荷泵相比，在电源电压1.8 V和300μA的工作电流下，中间级反向漏电流减少了17.5%,输出级反向漏电流减少了73.1%。无反馈调节时，主电荷泵最高输出电压为9.56 V,电压效率达88.51%。PFM可调制模式下，可重构电荷泵能实现输出电压切换。
|
| 关 键 词： | Flash存算器件 电荷泵 体源二极管 交叉耦合 |
| 收稿时间： | 2023-02-20 |
An Adjustable Charge Pump for Computing-in-Memory Array of Flash |
| |
| LIU Bozhi,YU Zhiguo,GU Xiaofeng. An Adjustable Charge Pump for Computing-in-Memory Array of Flash[J]. Microelectronics, 2023, 53(5): 861-868 |
| |
| Authors: | LIU Bozhi YU Zhiguo GU Xiaofeng |
| |
| Affiliation: | Technology Engineering Research Center of IoT Technology Applications Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | flash memory device charge pump body-source diode cross-coupled |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载免费的PDF全文 |
