| 浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响 |
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| 引用本文： | 湛涛,冯全源.浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响[J].微电子学,2023,53(5):917-923. |
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| 作者姓名： | 湛涛 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(62090012) |
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| 摘 要： | 提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构，通过改善电场分布，优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上，仅通过增大外延层掺杂浓度，改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度，最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm2、特征栅漏电容为4.72 pF·mm-2的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比，在击穿电压不变的条件下，浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。
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| 关 键 词： | 屏蔽栅 浮动电极 特征导通电阻 特征栅漏电容 |
| 收稿时间： | 2023/2/10 0:00:00 |
Effect of Floating Electrodes on the Characteristics of Shielded Gate Trench MOSFET |
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| ZHAN Tao,FENG Quanyuan.Effect of Floating Electrodes on the Characteristics of Shielded Gate Trench MOSFET[J].Microelectronics,2023,53(5):917-923. |
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| Authors: | ZHAN Tao FENG Quanyuan |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | shielded gate floating electrode specific on-resistance specific gate-drain capacitance |
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