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| 栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析 | |
| 作者姓名： | 何进 张兴 黄如 黄爱华 卢震亭 王阳元 张耀辉 余山 贾林 |
| 作者单位： | [1]北京大学微电子学研究所,北京100871 [2]Motorola中国公司数字基因实验室,北京100800 |
| 基金项目： | 摩托罗拉和北京大学联合研究基金;; |
| 摘 要： | 通过数值模拟手段 ,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对 R- G电流大小的影响规律 .结果表明 :无论在 FD还是在 PD SOI MOS器件中 ,界面陷阱密度是决定 R- G电流峰值的主要因素 ,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异 .为了精确地用 R- G电流峰值确定界面陷阱的大小 ,器件参数的影响也必须包括在模型之中 |
| 关 键 词： | R-G电流 栅控二极管 界面陷阱 SOIMOSFET器件 敏感性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)10-1292-06 |
| 修稿时间： | 2000-12-09 |
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