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High-speed programming of nanowire-gated carbon-nanotube memory devices
Authors:Agnus Guillaume  Filoramo Arianna  Lenfant Stéphane  Vuillaume Dominique  Bourgoin Jean-Philippe  Derycke Vincent
Affiliation:CEA, IRAMIS, Service de Physique de l'Etat Condensé (CNRS URA 2464), Laboratoire d'Electronique Moléculaire, 91191 Gif-sur-Yvette, France.
Abstract:
Keywords:carbon nanotubes  field‐effect transistors  memory devices  nanowires  optoelectronics
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