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界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响
引用本文:代波,蔡健旺,赖武彦. 界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响[J]. 功能材料, 2007, 38(5): 727-729,733
作者姓名:代波  蔡健旺  赖武彦
作者单位:西南科技大学,材料科学与工程学院,四川,绵阳,621010;中国科学院物理研究所,磁学国家重点实验室,北京,100086;中国科学院物理研究所,磁学国家重点实验室,北京,100086
基金项目:国家自然科学基金 , 西南科技大学校科研和教改项目
摘    要:采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场.通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃.

关 键 词:交换偏置  钉扎场  反铁磁
文章编号:1001-9731(2007)05-0727-03
修稿时间:2006-11-012007-01-08

The influence of interfacial FeMn addition on the CoFe/CrPt exchange biased system
DAI Bo,CAI Jian-wang,LAI Wu-yan. The influence of interfacial FeMn addition on the CoFe/CrPt exchange biased system[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(5): 727-729,733
Authors:DAI Bo  CAI Jian-wang  LAI Wu-yan
Affiliation:1. School of Materials Science and Engineering, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010 ,China 2. State Key Laboratory of Magnetism, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080,China
Abstract:
Keywords:exchange bias   pinning field   antiferromagnetic
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