高压熔体法生长高质量CdSe单晶

CdSe晶体是一种性能优异的非线性光学材料,但目前常规的生长方法很难生长出高质量单晶。本实验在理论推导的基础上,采用高压熔体法生长出了较大尺寸的CdSe晶体棒,并采用X射线衍射仪、能谱分析仪、腐蚀坑观察、Fourier变换红外光谱仪对单晶性能进行表征。结果表明:高压熔体法生长的CdSe单晶组分接近理想化学计量比(CdSe_(0.989)),且具备结构完整、位错密度小(10~4/cm~2)、结晶质量高(FWHM≤0.1°)、吸收系数低(0.03cm~(-1)以内)等优点,有望用于非线性光学频率转换实验。