金属–半导体–金属结构非极性α-AlGaN深紫外探测器的制备

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)高温外延生长的未掺杂非极性α-AlGaN半导体薄膜,制备了金属–半导体–金属(MSM)结构的深紫外光电探测器,研究了在α-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO_2纳米颗粒对α-AlGaN MSM结构的深紫外探测器性能的影响。结果表明:5 V偏压下,探测器光谱响应峰值提高了大约3个数量级,深紫外近可见抑制比高达104,具有很好的深紫外特性,同时暗电流也下降了2~3个数量级,磁控溅射SiO_2纳米颗粒提升了α-AlGaNMSM结构深紫外探测器性能。