| 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 吴越颖,胡跃辉,阴生毅,荣延栋,王青,高卓,李瀛,宋雪梅,陈光华.热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜[J].功能材料,2004,35(Z1):3184-3186. |
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| 作者姓名： | 吴越颖 胡跃辉 阴生毅 荣延栋 王青 高卓 李瀛 宋雪梅 陈光华 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1) |
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| 摘 要： | 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-SiH薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
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| 关 键 词： | a-SiH薄膜 热丝 光敏性 沉积速率 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-3184-03 |
| 修稿时间： | 2004年3月10日 |
High quality a-Si:H thin films deposited with high rate by HW-MW ECRCVD |
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| WU Yue-ying,HU Yue-hui,YIN Sheng-yi,RONG Yan-dong,WANG Qing,GAO Zhuo,LI Ying,SONG Xue-mei,CHEN Guang-hua.High quality a-Si:H thin films deposited with high rate by HW-MW ECRCVD[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3184-3186. |
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| Authors: | WU Yue-ying HU Yue-hui YIN Sheng-yi RONG Yan-dong WANG Qing GAO Zhuo LI Ying SONG Xue-mei CHEN Guang-hua |
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