太阳能级多晶硅中的晶体缺陷及其控制

本文报道了位错、孪晶等晶体缺陷在多晶硅材料中的分布规律及结晶条件对其影响,并探讨了控制凝固条件以降低晶体缺陷密度的可能途径。结果表明,在相同的结晶条件下各类晶体缺陷在多晶硅锭的同一横截面上呈均匀分布,但在沿结晶生长方向上不同部位存在较大差异;凝固过程中横向温度梯度对位错密度有显著影响,控制合理结晶条件将使位错密度显著降低。