| 背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n 太阳光盲紫外探测器成 |
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| 引用本文： | 成彩晶,丁嘉欣,张向锋,赵鸿燕,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立雯,张国义. 背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n 太阳光盲紫外探测器成[J]. 半导体学报, 2008, 29(3): 566-569 |
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| 作者姓名： | 成彩晶 丁嘉欣 张向锋 赵鸿燕 鲁正雄 司俊杰 孙维国 桑立雯 张国义 |
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| 作者单位： | 中国空空导弹研究院，洛阳 471009;中国空空导弹研究院，洛阳 471009;中国空空导弹研究院，洛阳 471009;中国空空导弹研究院，洛阳 471009;中国空空导弹研究院，洛阳 471009;中国空空导弹研究院，洛阳 471009;中国空空导弹研究院，洛阳 471009;北京大学物理系，北京 100871;北京大学物理系，北京 100871 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n 太阳光盲紫外探测器. 从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω. 器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98e11cm·Hz1/2/W，分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%，是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
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| 关 键 词： | 太阳光盲紫外探测器 理想因子 串联电阻 外量子效率 探测率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)03-0566-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-14 |
| 修稿时间： | 2007-09-13 |
A Back-Illuminated Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N Heterojunction p-i-n Solar-Blind UV Photodetector |
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| Cheng Caijing,Ding Jiaxin,Zhang Xiangfeng,Zhao Hongyan,Lu Zhengxiong,Si Junjie,Sun Weiguo,Sang Liwen and Zhang Guoyi. A Back-Illuminated Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N Heterojunction p-i-n Solar-Blind UV Photodetector[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(3): 566-569 |
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| Authors: | Cheng Caijing Ding Jiaxin Zhang Xiangfeng Zhao Hongyan Lu Zhengxiong Si Junjie Sun Weiguo Sang Liwen Zhang Guoyi |
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| Affiliation: | China Airborne Missile Academy,Luoyang 471009,China;China Airborne Missile Academy,Luoyang 471009,China;China Airborne Missile Academy,Luoyang 471009,China;China Airborne Missile Academy,Luoyang 471009,China;China Airborne Missile Academy,Luoyang 471009,China;China Airborne Missile Academy,Luoyang 471009,China;China Airborne Missile Academy,Luoyang 471009,China;Department of Physics,Beijing University,Beijing 100871,China;Department of Physics,Beijing University,Beijing 100871,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solar-blind UV photodetector ideality factor series resistance photoresponse detectivity |
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