| 平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试 |
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| 引用本文： | 李成波,袁坚,孟秋英,周书华,张录,张太平,宁宝俊,田大宇. 平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试[J]. 核技术, 2006, 29(4): 305-308 |
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| 作者姓名： | 李成波 袁坚 孟秋英 周书华 张录 张太平 宁宝俊 田大宇 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学研究院,北京,102413;北京大学微电子研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（00121140488） |
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| 摘 要： | 为满足CERN/ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要,首次采用高阻硅材料,并利用一些特殊工艺,研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元的硅光电二极管PIN。PIN的灵敏区面积为16mm×17mm,常温漏电流小于5nA,紫光区量子效率82%,全耗尽结电容为110—120pF。由PIN与电荷灵敏前置放大器组成的读出系统的噪声水平,在-25℃下小于600个等效噪声电荷,并经过了长期性能稳定性的考验。开发研制的大面积PIN硅光管全面达到ALICE/PHOS国际招标所规定PIN硅光管性能的指标。
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| 关 键 词： | PIN 结电容 漏电流 量子效率 等效噪声电荷 |
| 收稿时间： | 2004-12-02 |
| 修稿时间： | 2004-12-022006-02-21 |
R&D of Si PIN diode and its performance test |
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| LI Chengbo,YUAN Jian,MENG Qiuying,ZHOU Shuhua,ZHANG Lu,ZHANG Taiping,NING Baojun,TIAN Dayu. R&D of Si PIN diode and its performance test[J]. Nuclear Techniques, 2006, 29(4): 305-308 |
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| Authors: | LI Chengbo YUAN Jian MENG Qiuying ZHOU Shuhua ZHANG Lu ZHANG Taiping NING Baojun TIAN Dayu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PIN Junction capacity Leakage current Quantum efficiency ENC |
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