TiC对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响 |
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引用本文: | 黄启忠,杨巧勤.TiC对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响[J].炭素,1995(2):9-12. |
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作者姓名: | 黄启忠 杨巧勤 |
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作者单位: | 中南工业大学,湖南大学 |
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摘 要: | 本文就烧结助剂TiC对C—B4C—SiC炭/陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究,结果表明TiC在烧结过程中发生了固相反应,在晶界生成了TiB2,有效地促进了C—B4C—SiC复合材料的烧结,抑制了晶粒的长大,使复合材料密度与强度大幅度地增加,电阻率下降;同时TiB2在氧化时生成致密的TiO2,包裹了易氧化的B4C和C,使制品难氧化,从而大大提高了制品的抗氧化性能。
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关 键 词: | 陶瓷 复合材料 烧结助剂 显微结构 碳化钛 性能 |
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