| 化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 江风益,姚冬敏,等.化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响[J].半导体学报,2001,22(6):746-750. |
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| 作者姓名： | 江风益 姚冬敏 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所，南昌330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);715-001-0012; |
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| 摘 要： | 用X射线光电子能谱对MOCVD生长的未故障掺杂GaN单晶薄膜进行N、Ga组份测试，同时用RBS／Channeling,Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究。结果表明N含量相对低的GaN薄，其背景流子浓度较高，离子束背散射沟道最小产额比Xmin较小，带边辐射复合跃迁较强，在N含量相对低的GaN薄膜中易形成N空位，N空位是导致未故障掺杂的GaN单晶薄膜呈现n型电导的主要原因，N空位本身对离子束沟道产额没有贡献。但它能弛豫GaN与Al2O3之间的晶格失配，改善生长的GaN薄膜的结晶品质。
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| 关 键 词： | 氮化镓 化学计量 结晶品质 光电性能 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)06-0746-05 |
| 修稿时间： | 2000年5月26日 |
Influence of Deviation from Stoichiometry on Crystallinic Qualities |
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