碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系 |
| |
引用本文: | 张素英,乔怡敏.碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系[J].半导体学报,1985,6(1):61-66. |
| |
作者姓名: | 张素英 乔怡敏 |
| |
作者单位: | 中国科学院上海技术物理研究所
(张素英),中国科学院上海技术物理研究所(乔怡敏) |
| |
摘 要: | 在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了R_oA的温度关系,并与实验曲线进行比较,结果表明:对于掺杂浓度约10~(17)cm~(-3)、77K的半峰值截止波长为11.5μm的典型二极管,在低于50K时R_oA主要受隧道电流限制.
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|