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碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系
引用本文:张素英,乔怡敏.碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系[J].半导体学报,1985,6(1):61-66.
作者姓名:张素英  乔怡敏
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 (张素英),中国科学院上海技术物理研究所(乔怡敏)
摘    要:在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了R_oA的温度关系,并与实验曲线进行比较,结果表明:对于掺杂浓度约10~(17)cm~(-3)、77K的半峰值截止波长为11.5μm的典型二极管,在低于50K时R_oA主要受隧道电流限制.

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