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IGBT的瞬态保护和缓冲电路
作者姓名:杨岳峰  张奕黄
作者单位:北京市北方交通大学电气工程学院,北京市,100044
摘    要:IGBT绝缘栅双极性功率晶闸管是MOS管同双极性晶体管结合的产物 ,一般的IGBT模块都是几合一或一个IGBT一个续流二极管集成而成 ,IGBT的栅压不能过高 ,过高很容易击穿 ,所以IGBT的门极都并联两个反并联 15V~ 18V的稳压二极管。同时由于人体电容很小 ,积累少量电荷就能产生高压 ,所以尽量避免用于触摸IGBT的引脚 ,同时 ,在IGBT没有接入电路中长期放置时 ,应将其门极同阴极短路 ,在使用中要尤其注意IGBT的瞬态保护 ,否则很有可能损坏IGBT。

关 键 词:IGBT  缓冲吸收回路
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