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| 激光冷却半导体 | |
| 作者姓名： | 颜严 |
| 摘 要： | 法国格勒诺布尔高磁场实验室、马德里自治大学和德国慕尼黑科技大学的研究人员通过荧光升频转换,用激光将半导体由70Ｋ冷却到63Ｋ。工序依赖于特定电子态的谐振抽运,它引起由声子吸收过程激发的高能态产生的光致发光。光致发光带走净能量,将半导体冷却。所选半导体为二维砷化镓/砷化铝镓量子阱,它具有无交叠清晰光致发光谱线。1579ｅＶ(785ｎｍ)发射的Ｔｉ∶蓝宝石激光以高至4Ｗ/ｃｍ2的强度抽运材料。研究人员通过施加高达16Ｔ的外加磁场改善谱线输出,然后分析其结果,从而无需另外的温度计就可测量材料的温度。该技术可用来冷却电子元件。… |
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