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| GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计 | |
| 作者姓名： | 张敬明 徐俊英 肖建伟 徐遵图 李立康 杨国文 曾安 钱毅 陈良惠 |
| 作者单位： | 国家集成光电子学联台实验室中国科学院半导体研究所 北京100083(张敬明，徐俊英，肖建伟，徐遵图，李立康，杨国文，曾安，钱毅)，国家集成光电子学联台实验室中国科学院半导体研究所 北京100083(陈良惠) |
| 摘 要： | 本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法. |
| 关 键 词： | 量子阱 激光器 结构设计 波长 阈值 |
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