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| δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移 | |
| 作者姓名： | 程文超 夏建白 郑文硕 黄醒良 金载元 林三镐 瑞恩庆 李亨宰 |
| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，半导体物理研究中心 |
| 摘 要： | 本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性． |
| 关 键 词： | 硅 掺杂 结构 多量子阱 吸收边 漂移 |
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