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| 高速微晶硅材料的制备及其特性分析 | |
| 引用本文： | 张晓丹,赵颖,高艳涛,朱锋,魏长春,孙建,耿新华,熊绍珍. 高速微晶硅材料的制备及其特性分析[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(4): 275-277,282 |
| 作者姓名： | 张晓丹 赵颖 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 天津 300071 2. 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 天津 300071 3. 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学) 天津 300071 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，教育部科学技术基金，国际科技合作项目，天津市科技攻关项目 |
| 摘 要： | 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅材料.同时也对材料的稳定性进行了相关的研究. |
| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 拉曼光谱 光发射谱 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）04-0275-03 |
| 收稿时间： | 2004-10-18 |
| 修稿时间： | 2004-10-18 |
Growth and Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films |
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| Zhang Xiaodan,Zhao Ying,Gao Yantao,Zhu Feng,Wei Changchun,Sun Jian,Geng Xinhua,Xiong Shaozhen. Growth and Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(4): 275-277,282 | |
| Authors: | Zhang Xiaodan Zhao Ying Gao Yantao Zhu Feng Wei Changchun Sun Jian Geng Xinhua Xiong Shaozhen |
| Abstract: | Micro-crystalline silicon films were grown on glass substrates with very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) at different discharge powers.Its microstructures and electrical properties were characterized.The results show that the discharge power significantly affects the film growth and its electrical properties.With optimized growth conditions,the photosensitivity of the films range from 500 to 700 with an activation energy of 0.5 eV,a deposition rate of 0.8 nm/s and the fraction of micro-crystalline volume of 60 percent.Its stability was also studied. |
| Keywords: | Microcrystalline silicon thin films Raman spectroscopy Optical emission spectroscopy |
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