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表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模
引用本文:王勇刚,马骁宇,居桂方,张志刚.表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模[J].半导体学报,2004,25(8):1000-1003.
作者姓名:王勇刚  马骁宇  居桂方  张志刚
作者单位:[1]中国科学院半导体研究所北京100083 [2]天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室天津300072
摘    要:制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.

关 键 词:半导体可饱和吸收镜  表面态  被动连续锁模  Yb:YAG激光器  表面态  半导体  可饱和  吸收镜  激光器  被动锁模  Passive  Mirror  Absorption  Semiconductor  Type  脉冲宽度  情况  色散补偿  输出功率  锁模脉冲  重复频率  脉冲序列  被动连续锁模  泵浦功率
文章编号:0253-4177(2004)08-1000-04
修稿时间:2003年8月22日

Passive Modelocking Diode-End-Pumped Yb:YAG Laser with Surface-State Type of Semiconductor Saturable Absorption Mirror
Abstract:
Keywords:
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