S波段单片集成5位数控移相器 |
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摘 要: | 南京电子器件研究所研制出 S波段砷化镓单片五位数控移相器。该单片数控移相器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5 μm离子注入标准工艺制作而成。采用集总元件的高通 /低通网络构成移相网络和 Ga As MESFET作为开关控制器件。该移相器在设计工作频带内 32个移相态具有移相精度高 (均方根误差小于 0 .8°)、输入输出驻波好 ( 1 .4)和较低的插入损耗 ( 6d B)与插损变化 ( <± 0 .5 d B)等优良的电特性。S波段单片集成5位数控移相器
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A S-band Monolithic Intergrated Five-bit Phase Shifter |
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