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| 电子束蒸发a-Si∶Co薄膜的离子注入改性研究 | |
| 引用本文： | 马铁英,刘焕林,陈刚,杨宇.电子束蒸发a-Si∶Co薄膜的离子注入改性研究[J].功能材料,2004(5). |
| 作者姓名： | 马铁英 刘焕林 陈刚 杨宇 |
| 作者单位： | 云南大学材料科学与工程系，云南大学材料科学与工程系，云南大学材料科学与工程系，云南大学材料科学与工程系 云南昆明650091，云南昆明650091，云南昆明650091，云南昆明650091 |
| 基金项目： | 云南省科技厅攻关资助项目(2001GG06) |
| 摘 要： | 用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性。X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强。还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料。 |
| 关 键 词： | aSi∶Co薄膜 离子注入 电阻温度系数 |
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