| 压痕残余应力对氮化硅基复合材料阻力曲线行为的影响 |
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| 引用本文： | 席俊,关振铎.压痕残余应力对氮化硅基复合材料阻力曲线行为的影响[J].硅酸盐学报,1997,25(2):163-168. |
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| 作者姓名： | 席俊 关振铎 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系 |
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| 摘 要： | 通过压痕小裂纹直接量测法获得了ＴｉＣ，ＴｉＮ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料的阻力曲线，采用更具合理性的指数经验公式拟合处理实验数据，初步探讨了Ｋ∞，Ｋ＾＊Ｒ，ΔＣ，等参数的物理意义。对压痕残余应力消除前 实验结果进行比较，发现压痕残余应力的消除，提高了材料的极限断裂韧性值Ｋ＾＊Ｒ，却大大减少了裂纹稳态生长的容限，使得材料的脆性行为更为突出。
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| 关 键 词： | 阻力曲线 复合材料 裂纹 氮化硅陶瓷 应力 |
THE INFLUENCE OF INDENTATION RESIDUAL STRESS ON THE RCURVE BEHAVIOR FOR SILICON NITRIDE BASED CERAMIC COMPOSITES |
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| Xi,Jun,Guan,Zhenduo,Cai,Lin.THE INFLUENCE OF INDENTATION RESIDUAL STRESS ON THE RCURVE BEHAVIOR FOR SILICON NITRIDE BASED CERAMIC COMPOSITES[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,1997,25(2):163-168. |
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| Authors: | Xi Jun Guan Zhenduo Cai Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Rcurve composite material indentation cracking tolerance silicon nitride |
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