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| 光吸收测定Hg_0.8Cd_0.2Te材料的空穴浓度 | |
| 引用本文： | 黄长河,俞振中,汤定元.光吸收测定Hg_0.8Cd_0.2Te材料的空穴浓度[J].红外与毫米波学报,1986,5(5). |
| 作者姓名： | 黄长河 俞振中 汤定元 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 (黄长河，俞振中)，中国科学院上海技术物理研究所(汤定元) |
| 摘 要： | 采用离子注入法做光伏器件,需要空穴浓度在2～6×10~(16)cm~(-3)甚至更低的P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料,所以要求准确测定弱P型材料的空穴浓度。由于Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中电子的迁移率比空穴的迁移率高得多,对空穴浓度低于4×10_(16)cm~(-3)的样品,温度接近77K时出现明显的混合导电,给空穴浓度的确定带来了困难。近年来对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Tb吸收边以下的 |
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