|
|||||
|
|
| 8～18GHz双刀双掷开关研究 | |
| 作者姓名： | 真莹 吴桂娣 钱辉作 濮健珍 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 采用混合集成电路的方法，用ＰＩＮ管芯制作了８～１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ，隔离度＞５９ｄＢ，开态驻波比≤１．６５，承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ，隔离度＞５８ｄＢ，开态与全关断态驻波比≤２．１，承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。 |
| 关 键 词： | 双刀双掷 P型-本征型-N型半导体二极管管芯 宽带开关 吸收式 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |