|
|||||
|
|
| TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究 | |
| 引用本文： | 丁永庆,苏建农,彭瑞伍.TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究[J].稀有金属,1988(2). |
| 作者姓名： | 丁永庆 苏建农 彭瑞伍 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (丁永庆，苏建农)，中国科学院上海冶金研究所(彭瑞伍) |
| 摘 要： | 本文采用三甲基镓(TMG)和三乙基镓(TEG)为镓源的金属有机化合物气相沉积(MOCVD),获得了高质量的 GaAs 外延层。生长速率随 TMG 和 TEG 的浓度增加而增高,而与AsH_3浓度无关。用自制的 TEG 为镓源生长的 GaAs 有较高的低温迁移率。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |