美国实现第一个硅激光器 |
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引用本文: | 纪雨.美国实现第一个硅激光器[J].光电子技术与信息,2005,18(6):65-65. |
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作者姓名: | 纪雨 |
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摘 要: | 美国加利福尼亚大学已演示了据称第一个利用喇曼效应的硅(Si)激光器。这种发射波长为1675nm、具有25MHz重复频率时脉冲喇曼激光器采用硅波导作为增益介质,关键器件是硅上隔离的凸台波导和环绕该芯片的环形光纤。在9W峰值泵浦脉冲功率下获得激光阈值,并获得8.5%的斜效率。
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关 键 词: | 美国加利福尼亚大学 喇曼激光器 硅波导 脉冲功率 喇曼效应 发射波长 增益介质 重复频率 环形光纤 激光阈值 |
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