| 微腔调制常温Ge量子点光致发光特性 |
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| 引用本文： | 李传波,毛容伟,左玉华,成步文,余金中,王启明. 微腔调制常温Ge量子点光致发光特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(z1): 20-23 |
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| 作者姓名： | 李传波 毛容伟 左玉华 成步文 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.
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| 关 键 词： | 微腔 光致发光 Ge量子点 调制 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0020-04 |
| 修稿时间： | 2004-09-04 |
Modulated Photoluminescence of Ge Quantum Dots Grown on SOI Substrate |
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| Li Chuanbo,Mao Rongwei,Zuo Yuhua,Cheng Buwen,Yu Jinzhong,Wang Qiming. Modulated Photoluminescence of Ge Quantum Dots Grown on SOI Substrate[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(z1): 20-23 |
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| Authors: | Li Chuanbo Mao Rongwei Zuo Yuhua Cheng Buwen Yu Jinzhong Wang Qiming |
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