| 碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 刘雨涛,梁庭,王涛龙,王心心,张瑞,熊继军. 碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究[J]. 传感器与微系统, 2016, 0(2). DOI: 10.13873/J.1000-9787(2016)02-0046-03 |
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| 作者姓名： | 刘雨涛 梁庭 王涛龙 王心心 张瑞 熊继军 |
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| 作者单位： | 中北大学 仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西 太原030051;中北大学 电子测试技术国防科技重点实验室,山西 太原030051 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 选用SF6/O2 混合气体对等离子体增强化学气相淀积( PECVD)法制备的碳化硅( SiC)薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应耦合等离子体( ICP)刻蚀技术中反应室压强、偏压射频( BRF)功率、O2 比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响及其显著性.实验结果表明:BRF功率对于刻蚀速率的影响具有高度显著性,各因素对刻蚀速率的影响程度依次为BRF功率>反应室压强>O2 比例,并讨论了所选因素对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响机理.
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| 关 键 词： | 碳化硅薄膜 感应耦合等离子体刻蚀 正交试验 刻蚀速率 |
Study on ICP shallow etching process of SiC thin film |
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| LIU Yu-tao,LIANG Ting,WANG Tao-long,WANG Xin-xin,ZHANG Rui,XIONG Ji-jun. Study on ICP shallow etching process of SiC thin film[J]. Transducer and Microsystem Technology, 2016, 0(2). DOI: 10.13873/J.1000-9787(2016)02-0046-03 |
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| Authors: | LIU Yu-tao LIANG Ting WANG Tao-long WANG Xin-xin ZHANG Rui XIONG Ji-jun |
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| Abstract: | SF6/O2 gas mixture is selected to etch SiC films shallowly that are prepared by PECVD method and influence and significance of the inductively coupled plasma( ICP)etching process parameters including reaction chamber pressure,bias RF( BRF ) power,O2 flow ratio are investigated by the orthogonal experiment design method. Experimental results show that influence of BRF power on etching rate is highly significant,influence degree sequence of each factor on etching rate of SiC films presents as BRF power,reaction chamber pressure,O2 flow ratio and discuss influence principle of different factors on etching rate of SiC films. |
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| Keywords: | SiC thin film lCP etching orthogonal experiment etching rate |
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