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| 激光产生的硅汽相淀积 | |
| 引用本文： | M.Hanabusa,AkiraNamiki,范广毅.激光产生的硅汽相淀积[J].微电子学,1980(3). |
| 作者姓名： | M.Hanabusa AkiraNamiki 范广毅 |
| 作者单位： | 日本丰桥工业大学电工系，日本丰桥工业大学电工系 |
| 摘 要： | 当硅烷被脉冲CO_2激光器照射时就淀积出硅膜。当激光调至SiH_4吸收频率上时,有效地导致出这种激光产生的汽相淀积。其效率是那么高,以致1.3MW/cm~2的未聚焦束就足够了。无任何热效应。在汽压超过100乇以上能有效地产生淀积,这表明包含有一种碰撞附加过程。 |
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