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| 测压仪表发展简史（五） | |
| 引用本文： | 白韶红.测压仪表发展简史（五）[J].仪器仪表用户,2001,8(5):46-47. |
| 作者姓名： | 白韶红 |
| 作者单位： | 北京城建工程研究院工程检测中心北京市 100081 |
| 摘 要： | （接上期） 6.3 薄膜式压力传感器薄膜（厚度在10~ (-6)～10~ (-10)m）压力传感器按材料的不同可分为多晶硅、多晶锗、微晶硅、非晶硅及其合金、金属薄膜等不同类型；这类传感器实际上就是采用薄膜工艺制成的薄膜压阻和电容式压力传感器。多晶硅、多晶锗传感器的种类较多，最基本的形式是利用LPCVD工艺，在SiO_2衬底上形成一层压阻电桥薄膜及其输出引线；有些用于高温测量场合的传感器用氧化层将多晶硅电阻与SiO_2膜片隔离，它可以工作在200℃条件下；哑铃型传感器已经用于衡器产品中。此外，近年SOI工艺制造的压力传感器、变送器也开… |
| 关 键 词： | 测压仪表 压力传感器 HART变送器 |
| 文章编号： | 1671-1041(2001)04-0046-02 |
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