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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
镀膜对2.0μm锑化物激光器性能的提升
作者姓名:
黄书山
张宇
杨成奥
谢圣文
徐应强
倪海桥
牛智川
作者单位:
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院
摘 要:
基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系,制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比,同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0A时,室温连续模式下的输出功率达到300mW,最大插头效率为8.3%。镀膜器件在注入电流为2.6A时,室温连续模式下的输出功率达到380mW,最大插头效率为15.6%;另外,在0.3~2.4A的注入电流范围内,镀膜器件的插头效率均大于10.0%,激射波长均在2.0μm附近。
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