激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC |
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引用本文: | 胡莉婷,季凌飞,吴燕,林真源.激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC[J].中国激光,2018(6). |
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作者姓名: | 胡莉婷 季凌飞 吴燕 林真源 |
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作者单位: | 北京工业大学激光工程研究院 |
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摘 要: | 通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明,当Al膜厚度为120nm,脉冲个数为50时,掺杂试样的最大载流子浓度为6.613×10~(17) cm~(-3),最小体电阻率为17.36Ω·cm,掺杂浓度(粒子数浓度)可达6.6×10~(19) cm~(-3)。4H-SiC的Al掺杂改性机理为:在紫外激光作用下,Si—C键断裂,Al原子替代Si原子形成p型掺杂层。
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