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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
氮δ掺杂Cu_2O薄膜的生长及物性研究
作者姓名:
李微
潘景薪
王登魁
方铉
房丹
王新伟
唐吉龙
王晓华
孙秀平
作者单位:
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;长春理工大学理学院;
摘 要:
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术,以NH3为掺杂源,制备了氮δ掺杂Cu_2O薄膜,研究了N掺杂对Cu_2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明,N掺杂引起了晶格畸变,Cu_2O薄膜的表面粗糙度增大;掺杂后Cu_2O薄膜的带隙宽度从2.70eV增加到3.20eV,吸收边变得陡峭;掺杂后载流子浓度为6.32×1019 cm~(-3),相比于未掺杂样品(5.77×1018 cm~(-3))的提升了一个数量级。
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