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感应加热辅助Si细化激光熔覆沉积TC4晶粒的研究
作者姓名:李丽君  王豫跃  张安峰  梁朝阳  李青宇  张金智  张晓星
作者单位:西安交通大学金属材料强度国家重点实验室;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室
摘    要:在TC4粉末中加入不同含量的Si粉末进行激光熔覆沉积试验,研究了感应加热对试样微观组织的影响。结果表明,在没有引入感应加热的沉积态试样中,Si能够有效地细化柱状晶,柱状晶宽度由285.5μm减小至12.1μm。引入感应加热后,试样中柱状晶的宽度未变,但沉积方向上的部分柱状晶被打断,没有形成贯穿生长;晶内组织为α集束,且α片层上析出无规则呈弥散分布的硅化物。

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