| 退火温度对Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)薄膜的微结构及热电性能的影响 |
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| 引用本文： | 段兴凯,江跃珍,宗崇文,侯文龙.退火温度对Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)薄膜的微结构及热电性能的影响[J].材料科学与工程学报,2011(4). |
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| 作者姓名： | 段兴凯 江跃珍 宗崇文 侯文龙 |
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| 作者单位： | 九江学院机械与材料工程学院新能源材料研究中心;九江学院电子工程学院; |
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| 基金项目： | 江西省教育厅科技资助项目(GJJ11625); 2010九江学院大学生自主创新性实验资助项目(10XSCXXSY26) |
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| 摘 要： | 采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K～573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。霍尔系数,电子浓度和迁移率在300 K用Van der Pauw方法进行测量。退火温度为473 K时,电阻率和Seebeck系数分别为2.7 mΩ.cm和?180μV/K,热电功率因子最大值为12μW/cmK2。
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| 关 键 词： | 退火温度 热电薄膜 热电性能 瞬间蒸发法 |
Effects of Annealing on Microstructure and Thermoelectric Properties of Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3) Thin Films |
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| DUAN Xing-kai,JIANG Yue-zhen,ZONG Cong-wen,HOU Wen-long.Effects of Annealing on Microstructure and Thermoelectric Properties of Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3) Thin Films[J].Journal of Materials Science and Engineering,2011(4). |
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| Authors: | DUAN Xing-kai JIANG Yue-zhen ZONG Cong-wen HOU Wen-long |
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| Affiliation: | DUAN Xing-kai1,JIANG Yue-zhen2,ZONG Cong-wen1,HOU Wen-long2(1.Center for New Energy Materials Research,School of Mechanical and Materials Engineering,Jiujiang University,Jiujiang 332005,China,2.School of Electronic Engineering,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | annealing temperature thermoelectric thin films thermoelectric properties flash evaporation |
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