电压对中频脉冲非平衡磁控溅射类金刚石薄膜结构与性能的影响 |
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引用本文: | 王俊玲,代海洋.电压对中频脉冲非平衡磁控溅射类金刚石薄膜结构与性能的影响[J].材料保护,2015(12):16-19. |
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作者姓名: | 王俊玲 代海洋 |
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作者单位: | 1. 河南交通职业技术学院交通信息工程系,河南郑州,450000;2. 郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州,450002 |
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摘 要: | 制备参数对类金刚石(DLC)薄膜的性能和结构有显著影响。利用中频脉冲非平衡磁控溅射新技术制备了DLC薄膜,采用Raman光谱、X射线光电子能谱仪、纳米压痕仪、光谱型椭偏仪研究了溅射电压对DLC薄膜微观结构、力学性能和光学性能的影响。结果表明:当溅射电压由550 V增加到750 V时,DLC薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而增加,当溅射电压超过750 V时,薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而减少;DLC薄膜的纳米硬度、折射率均随溅射电压的增加先增加而后减小,溅射电压为750 V时制备薄膜的纳米硬度及折射率最大。
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关 键 词: | 类金刚石膜 中频脉冲非平衡磁控溅射 溅射电压 膜结构 膜性能 |
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