| FIB技术在硅基上刻蚀光子晶体的研究 |
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| 引用本文： | 胡文彬,童杏林.FIB技术在硅基上刻蚀光子晶体的研究[J].武汉理工大学学报,2009,31(1). |
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| 作者姓名： | 胡文彬 童杏林 |
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| 作者单位： | 胡文彬,童杏林,HU Wen-bin,TONG Xing-lin(武汉理工大学光纤传感技术与信息处理教育部重点实验室,武汉,430070);Rene de Ridder,Rene de Ridder(荷兰屯特大学集成光学微系统研究小组,Enschede,荷兰,7500,AE)
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 光子晶体是一种新型的光波导材料,具有优良的导光性能.亚微米级光子晶体的加工对几何形状要求相当高.聚焦离子束在文中被用作直接写入技术,用于制备亚微米级的圆孔光子晶体.如何在硅基上优化聚焦离子束制备参数是该文的重点.讨论了不同电流不同点刻蚀时间下的刻蚀效果,采用边缘冗余刻蚀方式的刻蚀效果以及不同深度的孔洞的加工.结果表明,选择合适的刻蚀电流和点刻蚀时间对光子晶体加工非常重要.
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| 关 键 词： | 聚焦离子束 硅基 光子晶体加工 孔壁形状 顶部轮廓 |
Focused Ion Beam Milling of Photonic Crystals in Bulk Silicon |
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| Rene de Ridder,HU Wen-bin,Rene de Ridder,TONG Xing-lin.Focused Ion Beam Milling of Photonic Crystals in Bulk Silicon[J].Journal of Wuhan University of Technology,2009,31(1). |
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| Authors: | Rene de Ridder HU Wen-bin Rene de Ridder TONG Xing-lin |
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